Ми співпрацювали з понад 200 країнами у проєктах сонячної енергетики та проєктах дорожнього освітлення. Ми експортували продукцію до багатьох країн і брали участь у багатьох важливих урядових проєктах по всьому світу.
У процесі дослідження сучасних енергетичних рішень пристрої на основі нітриду галію (GaN) у гібридному мережевому сонячному інверторі є значним технологічним стрибком. Оскільки відновлювана енергетика стає дедалі популярнішою, а попит на ефективніші системи перетворення енергії зростає, нітрид галію як передовий напівпровідниковий матеріал завдяки своїм винятковим електричним характеристикам і високій ефективності революціонізує технологію інверторів.
Гібридний мережевий сонячний інвертор — це силовий електронний пристрій, який може перетворювати постійний струм (DC) від відновлюваних джерел енергії на змінний струм (AC) для постачання електроенергії в мережу або для автономних енергосистем. Гібридний інвертор поєднує накопичення енергії, перетворення струму й напруги та подачу надлишкової енергії в мережу.
Гібридний мережевий сонячний інвертор — це передовий пристрій перетворення енергії, який може гнучко перемикатися між режимами підключення до мережі та автономної роботи, оптимізуючи потік кількох джерел енергії (таких як сонячна, вітрова, акумуляторна та мережева електроенергія) у гібридній сонячній інверторній системі. Він не лише перетворює постійний струм на змінний для побутового та комерційного використання, а й автоматично керує розподілом енергії та взаємодією з мережею через інтелектуальну систему керування, забезпечуючи ефективне використання енергії та стабільність електропостачання. Особливо у випадках нестабільності мережі або відключень електроенергії він забезпечує критично важливе резервне живлення, що робить його ключовою технологією для досягнення сучасного ефективного управління енергією.

Топологія: Boost+Inverter
Застосування напівпровідника з нітриду галію (GaN) у гібридному мережевому сонячному інверторі зосереджене головним чином на підвищенні ефективності, питомої потужності та надійності інвертора. Зокрема, напівпровідники GaN використовуються в кількох ключових частинах:
Комутаційні елементи
Напівпровідники GaN використовуються передусім як комутаційні елементи в інверторі, наприклад польові транзистори (FET). Ці комутаційні елементи відповідають за перетворення між постійним струмом (DC) і змінним струмом (AC).
GaN FET завдяки своїм високочастотним комутаційним можливостям і низьким втратам провідності відіграють вирішальну роль у підвищенні ефективності та швидкості реакції перетворювача.
Модулі перетворення потужності
У модулях перетворення потужності інвертора напівпровідники на основі GaN дають змогу модулю працювати на вищих частотах, тим самим зменшуючи розмір і вартість котушок індуктивності та конденсаторів, а також підвищуючи щільність потужності.
Схеми керування та драйверів
У схемах керування та драйверів напівпровідники на основі GaN можуть використовуватися для реалізації точніших та ефективніших стратегій керування, особливо в сценаріях, пов'язаних з обробкою високочастотних сигналів.
Застосування напівпровідників на основі нітриду галію в гібридному мережевому сонячному інверторі значно підвищує загальну продуктивність інвертора, зокрема покращує ефективність, зменшує розмір, знижує теплові втрати та підвищує швидкість реакції й надійність системи. У міру вдосконалення технології напівпровідників на основі GaN їхнє застосування в пристроях силової електроніки продовжуватиме розширюватися.